我校物理试验班学生参赛项目进入拔尖计划2.0第二届提问与猜想活动答辩环节

为深入实施基础学科拔尖学生培养计划，加快培养基础学科拔尖创新人才，近日，由教育部高教司主办，拔尖计划2.0秘书组承办的第二届“提问与猜想”活动拉开帷幕。我校物理试验班吴昊俣、任文涵参赛的《铪基FinFET及相关二维铪基材料铁电性的模拟》项目进入投票和答辩环节。

“提问与猜想”活动已举办两届，活动由教育部组织，依托“拔尖计划2.0”全国线上书院开展，旨在引导学生面向世界科技前沿、面向经济主战场、面向国家重大需求，发现和提出原创性问题、应答挑战性问题，以思维创新、方法创新、理论创新激发科学兴趣、探索未知世界。活动面向77所拔尖计划2.0实施高校的学科基地在校本科生开展，学生根据所属学科领域，构思原创性问题或科学猜想，将问题与猜想通过文档和视频的形式展示说明。目前，第二届提问与猜想活动已完成第一轮专家评审，共有18个优秀项目从101个参赛项目中脱颖而出，进入投票与答辩环节。

吴昊俣、任文涵参赛的项目是在物理学院冯俊老师的指导下进行的。项目主要是利用Silvaco TCAD对FinFET模型进行仿真，结果表明负电容铪基FinFET具有高开关比和更陡亚阈值摆幅的优点。当栅压为1.0V时，铪基FinFET的漏极电流是硅基FinFET的3.52倍，开/关电流比也由3.9×10^5提升至1.5×10^6。此外，还利用VASP对二维二氧化铪插入层进行了模拟以显示铁电性，证明了使用二维二氧化铪插入层达到负容量FinFET的正确性。

欢迎大家为8号参赛项目《铪基FinFET及相关二维铪基材料铁电性的模拟》投票。

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